Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1008G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1008G
Der 2SC1008G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1008G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1008 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SC1008O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC1008R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC1008Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1008G-Transistor könnte nur mit "C1008G" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SC1008G
Der BCV72 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1008G-Transistors.
