Bipolartransistor BC538-25

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC538-25

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC538-25

Der BC538-25 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC538-25 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC538 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des BC538-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BC538-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC538-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC538-25 ist der BC528-25.

SMD-Version des Transistors BC538-25

Der FMMTA06 (SOT-23), KST06 (SOT-23), MMBTA06 (SOT-23), PMBTA06 (SOT-23), PZTA06 (SOT-223) und SMBTA06 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC538-25-Transistors.
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