Bipolartransistor KSC1008O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1008O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1008O transistor

Pinbelegung des KSC1008O

Der KSC1008O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1008CO (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1008O.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1008O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1008 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1008G im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1008R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1008Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1008O ist der KSA708O.

Transistor KSC1008O im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1008O ist die TO-92-Version des KSC1008O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1008O

Sie können den Transistor KSC1008O durch einen 2SC1008, 2SC1008O, BC537, BC537-10, BC538, BC538-10, ZTX451, ZTX452 oder ZTX453 ersetzen.
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