Bipolartransistor BUL128FP
Elektrische Eigenschaften des Transistors BUL128FP
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
- Verlustleistung, max: 31 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 40
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des BUL128FP
Ersatz und Äquivalent für Transistor BUL128FP
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