Bipolartransistor MJE8502

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE8502

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 700 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE8502

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE8502

Sie können den Transistor MJE8502 durch einen MJE8503 ersetzen.
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