Bipolartransistor MJE8503

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE8503

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE8503

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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