Bipolartransistor MJE13005G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE13005G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
- Verlustleistung, max: 75 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 40
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der MJE13005G ist die bleifreie Version des MJE13005-Transistors
Pinbelegung des MJE13005G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE13005G
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