Bipolartransistor BDT29F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT29F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29 transistor

Pinbelegung des BDT29F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT29F ist der BDT30F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT29F

Sie können den Transistor BDT29F durch einen 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT29AF, BDT29BF, BDT41, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41F, TIP29, TIP29A, TIP29AG, TIP29B, TIP29BG, TIP29G, TIP41, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG oder TIP41G ersetzen.
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