Bipolartransistor BDT41B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT41B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT41B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT41B ist der BDT42B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT41B

Sie können den Transistor BDT41B durch einen BD709, BD711, BD909, BD911, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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