Bipolartransistor BDT41AF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT41AF

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT41A transistor

Pinbelegung des BDT41AF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT41AF ist der BDT42AF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT41AF

Sie können den Transistor BDT41AF durch einen BD707, BD709, BD711, BD907, BD909, BD911, BDT41A, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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