Bipolartransistor BDT29BF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT29BF

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29B transistor

Pinbelegung des BDT29BF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT29BF ist der BDT30BF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT29BF

Sie können den Transistor BDT29BF durch einen 2N6473, 2N6474, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD772, 2SD792, BD709, BD711, BD909, BD911, BDT29CF, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, NTE291, TIP29B, TIP29BG, TIP29C, TIP29CG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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