Bipolartransistor BDT30F

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 19 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F
• Electrically Similar to the Popular BDT30 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT30F ist der BDT29F.Sie können den Transistor BDT30F durch einen BD706, BD708, BD710, BD906, BD908, BD910, BDT30AF, BDT30BF, BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42F, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP30, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30G, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG oder TIP42G ersetzen.