Bipolartransistor BDT41F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT41F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular BDT41 transistor

Pinbelegung des BDT41F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT41F ist der BDT42F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT41F

Sie können den Transistor BDT41F durch einen BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT41, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, TIP41, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG oder TIP41G ersetzen.
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