Bipolartransistor BDT41BF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT41BF

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT41B transistor

Pinbelegung des BDT41BF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT41BF ist der BDT42BF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT41BF

Sie können den Transistor BDT41BF durch einen BD709, BD711, BD909, BD911, BDT41B, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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