Bipolartransistor BDT41

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT41

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT41

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT41 ist der BDT42.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT41

Sie können den Transistor BDT41 durch einen BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41F, TIP41, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG oder TIP41G ersetzen.
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