Bipolartransistor BDT41CF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT41CF

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT41C transistor

Pinbelegung des BDT41CF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT41CF ist der BDT42CF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT41CF

Sie können den Transistor BDT41CF durch einen BD711, BD911, BDT41C, MJE5180, MJE5181, MJE5182, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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