Bipolartransistor BD127
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD127
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 17.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD127
SMD-Version des Transistors BD127
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD127
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com