Bipolartransistor 2N5657

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5657

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 375 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5657

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5657

Sie können den Transistor 2N5657 durch einen 2N5657G, 2SC2899 oder BD129 ersetzen.
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