Bipolartransistor 2SC2752L

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2752L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 60
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC2752L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2752L kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2752 liegt im Bereich von 20 bis 80, die des 2SC2752K im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC2752M im Bereich von 20 bis 40.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2752L-Transistor könnte nur mit "C2752L" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2752L ist der 2SA1156N.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2752L

Sie können den Transistor 2SC2752L durch einen 2SC2899, KSC2752 oder KSC2752O ersetzen.
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