Bipolartransistor BD410

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD410

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 325 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 240
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD410

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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