Bipolartransistor BUX86
Elektrische Eigenschaften des Transistors BUX86
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50
- Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BUX86
Ersatz und Äquivalent für Transistor BUX86
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