Bipolartransistor 2N5655G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5655G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 275 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5655G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5655G

Sie können den Transistor 2N5655G durch einen 2N5655, 2N5656, 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD127, BD128 oder BD129 ersetzen.
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