Bipolartransistor BD129
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD129
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 17.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD129
SMD-Version des Transistors BD129
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD129
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