Bipolartransistor BD157

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 275 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 240
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor BD157 durch einen 2N5655, 2N5655G, 2N5656, 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD127, BD128, BD129, BD158, BD159, BD410, KSE340, MJE340 oder MJE340G ersetzen.