Bipolartransistor BD159

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD159

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 375 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 240
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD159

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD159

Sie können den Transistor BD159 durch einen 2N5657, 2N5657G, 2SC2899 oder BD129 ersetzen.
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