Bipolartransistor BCW68F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW68F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW68F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW68F kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW68 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW68G im Bereich von 160 bis 400, die des BCW68H im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW68F ist der BCW66F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW68F

Sie können den Transistor BCW68F durch einen FMMT591, FMMT591Q, MMBT2907A, MMBT4354, MMBT4355 oder MMBT4356 ersetzen.
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