Bipolartransistor BC856C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC856C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC856C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC856C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC856 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC856A im Bereich von 110 bis 220, die des BC856B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC856C ist der BC846C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC856C

Sie können den Transistor BC856C durch einen FMMTA56, KST56, MMBTA56, PMBTA56 oder SMBTA56 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com