Bipolartransistor BC849B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC849B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC849B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC849B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC849 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC849A im Bereich von 110 bis 220, die des BC849C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC849B ist der BC859B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC849B

Sie können den Transistor BC849B durch einen 2SC1623, 2SC2412, 2SC2712, 2SC3441, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SD601A, 2STR1160, 2STR1230, BC817, BC847, BC847B, BC848, BC848B, BC850, BC850B, BCV72, BCW32, BCW65, BCW66, BCX19, FMMT619, FMMTA05, KSC1623, KST05, KTC3875, KTC3875S, MMBT100, MMBT2484, MMBT5210, MMBTA05 oder SMBTA05 ersetzen.
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