Bipolartransistor BC849C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC849C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC849C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC849C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC849 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC849A im Bereich von 110 bis 220, die des BC849B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC849C ist der BC859C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC849C

Sie können den Transistor BC849C durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BC847, BC847C, BC848, BC848C, BC850, BC850C, BCW33, FMMT491A, FMMT619, FMMTA05, KST05, MMBTA05 oder SMBTA05 ersetzen.
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