Bipolartransistor BC556B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC556B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC556B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC556 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC556A im Bereich von 110 bis 220, die des BC556C im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC556B ist der BC546B.Der BC856 (SOT-23), BC856B (SOT-23), BC856BW (SOT-323) und BC856W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC556B-Transistors.Sie können den Transistor BC556B durch einen BC256, BC256B, BC448, BC448B, BC450 oder BC450B ersetzen.