Bipolartransistor BC556A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC556A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC556A

Der BC556A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC556A kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC556 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC556B im Bereich von 200 bis 450, die des BC556C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC556A ist der BC546A.

SMD-Version des Transistors BC556A

Der BC856 (SOT-23), BC856A (SOT-23), BC856AW (SOT-323) und BC856W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC556A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC556A

Sie können den Transistor BC556A durch einen BC448, BC450, BC490 oder BC490A ersetzen.
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