Bipolartransistor BC256B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC256B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 460
  • Übergangsfrequenz, min: 280 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC256B

Der BC256B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC256B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC256 liegt im Bereich von 120 bis 500, die des BC256A im Bereich von 120 bis 220.

SMD-Version des Transistors BC256B

Der BC856 (SOT-23) und BC856W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC256B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC256B

Sie können den Transistor BC256B durch einen BC448, BC448B, BC450, BC450B oder BC556 ersetzen.
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