Bipolartransistor BC256

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC256

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 280 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC256

Der BC256 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC256 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC256A liegt im Bereich von 120 bis 220, die des BC256B im Bereich von 180 bis 460.

SMD-Version des Transistors BC256

Der BC856 (SOT-23) und BC856W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC256-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC256

Sie können den Transistor BC256 durch einen BC556 ersetzen.
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