Bipolartransistor BC856W

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC856W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC856AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC856BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC856CW im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC856W ist der BC846W.