Bipolartransistor BC850CW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC850CW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC850CW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC850CW kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC850AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC850BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC850W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC850CW ist der BC860CW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC850CW

Sie können den Transistor BC850CW durch einen BC846CW, BC846W, BC847CW oder BC847W ersetzen.
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