Bipolartransistor BC546

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC546

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC546

Der BC546 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC546 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC546A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC546B im Bereich von 200 bis 450, die des BC546C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC546 ist der BC556.

SMD-Version des Transistors BC546

Der BC846 (SOT-23) und BC846W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC546-Transistors.
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