Bipolartransistor BC546C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC546C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC546C

Der BC546C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC546C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC546 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC546A im Bereich von 110 bis 220, die des BC546B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC546C ist der BC556C.

SMD-Version des Transistors BC546C

Der BC846 (SOT-23), BC846C (SOT-23), BC846CW (SOT-323) und BC846W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC546C-Transistors.
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