Bipolartransistor BC550

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 1.2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC550 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC550 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC550A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC550B im Bereich von 200 bis 450, die des BC550C im Bereich von 420 bis 800, die des BC550CG im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC550 ist der BC560.Der BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC550-Transistors.Sie können den Transistor BC550 durch einen BC546 oder BC547 ersetzen.