Bipolartransistor BC550CG

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC550CG

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Der BC550CG ist die bleifreie Version des BC550C-Transistors

Pinbelegung des BC550CG

Der BC550CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC550CG kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC550 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC550A im Bereich von 110 bis 220, die des BC550B im Bereich von 200 bis 450, die des BC550C im Bereich von 420 bis 800.

SMD-Version des Transistors BC550CG

Der BC847 (SOT-23), BC847C (SOT-23), BC847CW (SOT-323), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23), BC850C (SOT-23), BC850CW (SOT-323) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC550CG-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC550CG

Sie können den Transistor BC550CG durch einen BC237, BC237C, BC414, BC414C, BC546, BC546C, BC547 oder BC547C ersetzen.
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