Bipolartransistor 2SD809-L

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 270
• Übergangsfrequenz, min: 85 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD809-L kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD809 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SD809-E im Bereich von 360 bis 600, die des 2SD809-F im Bereich von 300 bis 480, die des 2SD809-K im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD809-L-Transistor könnte nur mit "D809-L" gekennzeichnet sein.Der 2SD1615A (SOT-89) und 2SD1615A-GQ (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD809-L-Transistors.Sie können den Transistor 2SD809-L durch einen 2SD1348, 2SD1682, 2SD1683, 2SD1684, 2SD1722, 2SD1723, 2SD1724, 2SD1725, 2SD600, 2SD794A, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD379, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794A, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 oder MJE722 ersetzen.