Bipolartransistor 2SD1615A

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1615A kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1615A-GP liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1615A-GQ im Bereich von 135 bis 270.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1615A-Transistor könnte nur mit "D1615A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1615A ist der 2SB1115A.