Bipolartransistor 2SD809-K

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 85 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD809-K kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD809 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SD809-E im Bereich von 360 bis 600, die des 2SD809-F im Bereich von 300 bis 480, die des 2SD809-L im Bereich von 135 bis 270.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD809-K-Transistor könnte nur mit "D809-K" gekennzeichnet sein.Der 2SD1615A (SOT-89) und 2SD1615A-GP (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD809-K-Transistors.Sie können den Transistor 2SD809-K durch einen 2SD1348, 2SD1348-T, 2SD1682, 2SD1682-T, 2SD1683, 2SD1683-T, 2SD1684, 2SD1684-T, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD1724, 2SD1724-R, 2SD1725, 2SD1725-R, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BDX35, BDX36, BDX37, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 oder MJE722 ersetzen.