Bipolartransistor 2SD1684

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1684

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1684

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1684 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1684-Q liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1684-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1684-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1684-Transistor könnte nur mit "D1684" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1684 ist der 2SB1144.

SMD-Version des Transistors 2SD1684

Der FMMT624 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD1684-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1684

Sie können den Transistor 2SD1684 durch einen 2SC3117, 2SC3902, 2SD1724, 2SD1725 oder MJE244 ersetzen.
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