Bipolartransistor 2SD1684
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1684
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD1684
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors 2SD1684
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1684
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