Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD415-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 45 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD415-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD415-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD415 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SD415-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD415-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD415-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD415-R-Transistor könnte nur mit "D415-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD415-R ist der 2SB549-R.