Bipolartransistor 2SD415-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD415-S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 45 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD415-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD415-S kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD415 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SD415-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD415-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD415-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD415-S-Transistor könnte nur mit "D415-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD415-S ist der 2SB549-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD415-S

Sie können den Transistor 2SD415-S durch einen BD791, MJE243, MJE243G oder MJE244 ersetzen.
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