Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1264N
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SA1264N
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1264N kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1264N-O liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SA1264N-R im Bereich von 55 bis 110.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1264N-Transistor könnte nur mit "A1264N" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1264N ist der 2SC3181N.