Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1275-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA1275-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1275-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1275 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1275-O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1275-Y im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1275-R-Transistor könnte nur mit "A1275-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1275-R ist der 2SC3228-R.
SMD-Version des Transistors 2SA1275-R
Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1275-R-Transistors.
