Bipolartransistor 2SB647AB

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92MOD

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB647AB kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB647A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB647AC im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB647AB-Transistor könnte nur mit "B647AB" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB647AB ist der 2SD667AB.Sie können den Transistor 2SB647AB durch einen 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 oder KTA1275R ersetzen.