Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB560-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SB560-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB560-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB560 liegt im Bereich von 60 bis 560, die des 2SB560-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB560-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB560-G im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB560-D-Transistor könnte nur mit "B560-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB560-D ist der 2SD438-D.
SMD-Version des Transistors 2SB560-D
Der 2SA1368 (SOT-89) und 2SA1368-C (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB560-D-Transistors.
