Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB646A-B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SB646A-B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB646A-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB646A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB646A-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB646A-B-Transistor könnte nur mit "B646A-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB646A-B ist der 2SD666A-B.
